半導体に関する次のａ～ｄの記述のうち、正しいものの個数はどれか。 ａ：n 形半導体は、ドナーとなる 5 価の不純物（例：リン）を真性半導体に添加したもので、多数キャリアは自由電子である。 ｂ：シリコンの pn 接合ダイオードの順方向電圧降下は、温度が上昇すると大きくなる。 ｃ：バイポーラトランジスタはベース電流でコレクタ電流を制御する素子であり、電界効果トランジスタ（FET）はゲート電圧でドレイン電流を制御する素子である。 ｄ：真性半導体の抵抗率は、温度が上昇すると大きくなる。
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解答正解 2
ａ：5 価のリンなどを添加した n 形は多数キャリアが自由電子で正しい。ｂ：シリコンの順方向電圧降下は温度上昇で約－2 mV／℃ 低下するので誤り。ｃ：BJT は電流制御形、FET は電圧制御形で正しい。ｄ：真性半導体は温度が上がると熱励起で自由電子と正孔が増え、抵抗率が小さくなる（負の温度係数）ので誤り。金属が正の温度係数であることと対比して覚える。
選択肢ごとの判定
1ａとｃの両方が正しいので、1 個では不足である。ｃ（電流制御と電圧制御の区別）またはａのいずれかを誤りと判断している。
2正しい。ａとｃが正しく、ｂとｄが誤りなので 2 個である。
3ｂまたはｄも正しいと判断した誤り。順方向電圧降下は温度上昇で小さくなり、真性半導体の抵抗率も温度上昇で小さくなる。
4全て正しいと判断した誤り。ｂとｄは温度特性が逆である。